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    • 专利摘要:
    一種環境敏感電子元件之封裝體，包括一第一基板、一第二基板、一環境敏感電子元件、一撓曲結構層以及一填充層。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括一陽極層、一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一陰極層以及一電子注入層。撓曲結構層配置於環境敏感電子元件上，且包括一柔軟層、一阻陷層以及一保護層。柔軟層配置於陰極層上，阻陷層及保護層配置於柔軟層上。阻陷層的材質與電子注入層的材質相同。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。
    公开号:TW201322516A
    申请号:TW100142470
    申请日:2011-11-21
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Kuang-Jung Chen；Jian-Lin Wu；Shu-Tang Yeh
    申请人:Ind Tech Res Inst；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    環境敏感電子元件之封裝體
    本發明是有關於一種封裝體及其封裝方法，且特別是有關於一種環境敏感電子元件之封裝體及其封裝方法。
    相較於一般硬質基板，可撓性基板的應用更為廣泛，其優點為可撓、方便攜帶、符合安全性、產品應用廣，但其缺點為不耐高溫、阻水阻氧氣性差、耐化學藥品性差及熱膨脹係數大。典型之可撓性基板由於無法完全阻隔水氣及氧氣的穿透，進而加速基板上之電子元件老化，導致所製成的元件壽命減短，無法符合商業上的需求。除此之外，由於可撓性基板具有可撓特性，當可撓性基板被撓曲時，製作於基板上的電子元件容易出現薄膜剝離(delaminating)的現象，進而導致電子元件無法正常操作。
    在習知技術中，如美國專利US 6,624,568以及美國專利公開文獻US 2007/0049155，其皆採用高分子聚合物(polymer)作為有機電激發光元件的封裝材料，雖可獲得不錯的阻水氧效果，然而，這些習知技術皆未顧慮到當有機電激發光元件被撓曲時所面臨的薄膜剝離問題，因此，如何改善有機電激發光元件被撓曲時所產生的薄膜剝離現象，儼然已成為目前習知的可撓式有機電激發光元件在量產上亟待解決的問題之一。
    本發明提供一種環境敏感電子元件之封裝體，其具有良好的可撓性。
    本發明提出一種環境敏感電子元件之封裝體，其包括一第一基板、一第二基板、一環境敏感電子元件、一撓曲結構層以及一填充層。第二基板配置於第一基板的上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括一陽極層、一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一陰極層以及一電子注入層。陽極層配置於第一基板上。電洞注入層配置於陽極層上。電洞傳輸層配置於電洞注入層上。有機發光層配置於電洞傳輸層上。陰極層配置於有機發光層上。電子注入層配置於有機發光層與陰極層之間。撓曲結構層配置於環境敏感電子元件上，且包括一柔軟層、一阻陷層以及一保護層。柔軟層配置於陰極層上。阻陷層配置於柔軟層上，其中阻陷層的材質與電子注入層的材質相同。保護層配置於柔軟層上。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。
    本發明還提出一種環境敏感電子元件之封裝體，其包括一第一基板、一第二基板、一環境敏感電子元件、一撓曲結構層以及一填充層。第二基板配置於第一基板的上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括一陽極層、一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一陰極層以及一電子注入層。陽極層配置於第一基板上。電洞注入層配置於陽極層上。電洞傳輸層配置於電洞注入層上。有機發光層配置於電洞傳輸層上。陰極層配置於有機發光層上。電子注入層配置於有機發光層與陰極層之間。撓曲結構層配置於環境敏感電子元件上，且包括一柔軟層、一阻陷層以及一保護層。柔軟層配置於陰極層上。阻陷層配置於柔軟層上，其中阻陷層的材質與陰極層的材質相同。保護層配置於柔軟層上。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。
    本發明更提出一種環境敏感電子元件之封裝體，其包括一第一基板、一第二基板、一環境敏感電子元件、一撓曲結構層以及一填充層。第二基板配置於第一基板的上方。環境敏感電子元件配置於第一基板上，且位於第一基板與第二基板之間。環境敏感電子元件包括一陽極層、一有機官能層以及一陰極層。陽極層配置於第一基板上。有機官能層配置於陽極層上。陰極層配置於有機官能層上。撓曲結構層配置於環境敏感電子元件上，且包括一柔軟層、一阻陷層以及一保護層。柔軟層配置於陰極層上。阻陷層配置於柔軟層上，其中阻陷層的材質與有機官能層的材質或陰極層的材質相同。保護層配置於柔軟層上。填充層配置於第一基板與第二基板之間，且包覆環境敏感電子元件與撓曲結構層。
    因此當環境敏感電子元件之封裝體過度被撓曲時，薄膜剝離的現象會發生在撓曲結構層中。基於上述，本發明在環境敏感電子元件上製作撓曲結構層，可改善環境敏感電子元件被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而提昇產品良率。
    為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
    圖1為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖1，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100a包括一第一基板110、一第二基板120、一環境敏感電子元件130a、一撓曲結構層140a以及一填充層160。第一基板110與第二基板120平形配置，且第二基板120配置於第一基板110的上方。在本實施例中，第一基板110與第二基板120分別例如是一可撓性基板，其材質例如為塑膠，如PE系列之塑膠、PMMA、PC(Polycarbonate)或PI(Polyimide)。舉例而言，前述之PE系列之塑膠例如為PEC、PEN、PES等可撓性塑膠。當然，可撓性基板之材質亦可以是金屬薄膜，在此並不加以限制。
    環境敏感電子元件130a配置於第一基板110上，且位於第一基板110與第二基板120之間。環境敏感電子元件130a包括一陽極層132、一有機官能層134a以及一陰極層139，其中陽極層132配置於第一基板110上，而有機官能層134a配置於陽極層132上，且陰極層139配置於有機官能層134a上。更具體來說，有機官能層134a是由一電洞注入層135、一電洞傳輸層136、一有機發光層137以及一電子注入層138a所構成之多層堆疊結構層。其中，電洞注入層135配置於陽極層132且覆蓋陽極層132上，而電洞傳輸層136配置於電洞注入層135上。有機發光層137配置於電洞傳輸層136上，而陰極層139配置於有機發光層137上，且電子注入層138a配置於有機發光層137與陰極層139之間。於此，電洞注入層135、電洞傳輸層136、有機發光層137、電子注入層138a以及陰極層139為共形設置。
    撓曲結構層140a配置於環境敏感電子元件130a上，且與環境敏感電子元件130a共形設置，其中撓曲結構層140a包括一柔軟層142a、一阻陷層144a以及一保護層146a。柔軟層142a配置於陰極層139上且直接覆蓋陰極層139，而阻陷層144a及保護層146a配置於柔軟層142a上。更具體來說，本實施例之撓曲結構層140a之阻陷層144a是位於保護層146a與柔軟層142a之間。特別是，撓曲結構層140a之阻陷層144a的材質與環境敏感電子元件130a之電子注入層138a的材質實質上相同。此外，本實施例之填充層160配置於第一基板110與第二基板120之間，且填充層160包覆環境敏感電子元件130a與撓曲結構層140a。於此，填充層160的材質例如是壓克力樹脂(acrylic)或環氧樹脂(expoxy)，且填充層160的形態例如為一感壓式膠材或一填充式膠材，於此並不加以限制。
    更進一步來說，在本實施例中，撓曲結構層140a之阻陷層144a的材質可具有導電性與阻水性，其中阻陷層144a的材質例如是一鹼金屬/鹼土金屬鹵化物、一鹼金屬/鹼土金屬氧化物、一鹼金屬/鹼土金屬碳酸化合物或一鹼金屬碳酸化合物。詳細來說，上述之鹼金屬/鹼土金屬鹵化物例如是氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化銫(CsF)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、氯化銣(RbCl)、氯化鎂(MgCl2)或氯化鈣(CaCl2)。鹼金屬/鹼土金屬氧化物例如是氧化鋰(Li2O)、氧化銫(Cs2O)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、偏硼酸鋰(LiBO2)或氧化矽鉀(K2SiO3)。鹼金屬/鹼土金屬碳酸化合物例如是碳酸鋰(Li2CO3)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸銫(Cs2CO3)。鹼金屬碳酸化合物例如是醋酸鋰(CH3COOLi)、醋酸鈉(CH3COONa)、醋酸鉀(CH3COOK)、醋酸銣(CH3COORb)或醋酸銫(CH3COOCs)。
    再者，本實施例之撓曲結構層140a之柔軟層142a的材質例如是有機小分子(small molecular)材料、有機寡聚合物(Oligomers)、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。上述之有機小分子化合物的分子量約介於10 g/mol至5,000 g/mol之間，如Alq3 Tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum、alpha-NPB N,N’-Dis(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine、CuPc Phalocyanine,copper complex。有機寡聚物的分子量約介於500 g/mol至9,000 g/mol之間，如Phenylene Vinylene Oligomers、Fluorene Oligomers。有機-無機共蒸鍍材料的分子量約介於3 g/mol至500 g/mol之間。
    另外，撓曲結構層140a之保護層146a的材質例如是金屬材料或無機材料。上述之金屬材料例如是Al,Ag,Au,Be,Cr,Cu,Co,Fe,Ge,Ir,In,Mo,Mn,Mg,Ni,Nb,Pb,Pd,Pt,Ru,Rh,Sn,Si,Sb,Se,Ti,Ta,Te,V,W,Zr,Zn,Mg/Ag,Al/Ag,Al/Si,Al/Si/Cu,Au/Ge,Au/Be,Au/Ge/Ni,Ni/Cr,Pb/Sn,In/Sn。上述之無機材料例如是ITO,IZO,AZO,WO3,MoO3,SiOx,SiNx,SiOxNy,Al2O3,AlN,BaTiO3,CeO2,Cr2O3,CuO,Dy2O3,Er2O3,Eu2O3,Ga2O3,GeO2,HfO2,Ho2O3,In2O3,ITO,PbTiO3,MgO,MnO2,Nd2O3,NiO,Nb2O5,Pr2O3,Sm2O3,SiO2,SiO,Ta2O5,ThO2,SnO2,TiO3,Y2O3,ZnO,ZrO2,CdTe,ZnTe,CdSe,CdS,ZnS,MoS2。
    由於本實施例之撓曲結構層140a配置於環境敏感電子元件130a上，且撓曲結構層140a的柔軟層142a直接覆蓋於環境敏感電子元件130a的陰極層139上。因此，當環境敏感電子元件之封裝體100a被撓曲時，環境敏感電子元件130a的各層結構層(包括陽極層132、有機官能層134a及陰極層139)之間不易發生薄膜剝離的現象，薄膜剝離的現象很容易會發生在柔軟層142a與陰極層139之間的界面或柔軟層142a與阻陷層144a之間的界面。也就是說，撓曲結構層140a的設計在環境敏感電子元件之封裝體100a被撓曲時可有效地改善環境敏感電子元件130a之各層結構層之間發生薄膜剝離的現象。
    再者，由於本實施例之撓曲結構層140a之阻陷層144a的材質與環境敏感電子元件130a之電子注入層138a的材質實質上相同，因此撓曲結構層140a可以與環境敏感電子元件130a的製程整合。換言之，撓曲結構層140a可以與環境敏感電子元件130a可以在同一腔體中完成製作，無需大幅度的修改現有製程，且可以有效地控制原料的取得，並且降低購買設備之成本。此外，由於填充層160包覆環境敏感電子元件130a與撓曲結構層140a，且撓曲結構層140a之阻陷層144a的材質也具有導電性與阻水性，因此可增加環境敏感電子元件之封裝體100a阻隔水氣及氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件130a的壽命。
    在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
    圖2為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖2，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100b與圖1之環境敏感電子元件之封裝體100a相似，惟二者主要差異之處在於：環境敏感電子元件之封裝體100b中的撓曲結構層140b具有不同之薄膜堆疊方式。詳細來說，本實施例之撓曲結構層140b的保護層146b位於阻陷層144b與柔軟層142b之間。因此，當環境敏感電子元件之封裝體100b被撓曲時，薄膜剝離的現象很容易會發生在柔軟層142b與陰極層139之間的界面或柔軟層142b與保護層146b之間的界面。也就是說，撓曲結構層140b的設計在環境敏感電子元件之封裝體100b被撓曲時可有效地改善環境敏感電子元件130a之各層結構層之間發生薄膜剝離的現象。
    圖3為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖3，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100c與圖1之環境敏感電子元件之封裝體100a相似，惟二者主要差異之處在於：環境敏感電子元件之封裝體100c更包括至少一輔助撓曲結構層150a，其中輔助撓曲結構層150a配置於撓曲結構層140a上且位於第二基板120與撓曲結構層140a之間。輔助撓曲結構層150a直接覆蓋於撓曲結構層140a上。詳細來說，輔助撓曲結構層150a包括一輔助柔軟層152a、一輔助阻陷層154a以及一輔助保護層156a，其中輔助柔軟層152a覆蓋保護層146a上，且輔助阻陷層154a位於輔助保護層156a與輔助柔軟層152a之間。
    由於在環境敏感電子元件130a上設置多層堆疊之撓曲結構層140a及輔助撓曲結構層150a，因此當環境敏感電子元件之封裝體100c被撓曲時，薄膜剝離的現象很容易會發生在撓曲結構層140a之柔軟層142a與環境敏感電子元件130a之陰極層139之間的界面或柔軟層142a與阻陷層144a之間的介面，或者是，輔助撓曲結構層150a之輔助柔軟層152a與撓曲結構層140a之保護層146a的界面或輔助柔軟層152a與輔助阻陷層154a之間的介面。如此一來，可有效地改善習知環境敏感電子元件130a被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而提昇環境敏感電子元件之封裝體100c產品良率。
    此外，較佳地，輔助柔軟層152a的材質例如與柔軟層142a的材質相同，而輔助阻陷層154a的材質例如與阻陷層144a的材質相同，且輔助保護層156a的材質與保護層146a的材質相同。在此情況下，輔助撓曲結構層150a可以與撓曲結構層140a及環境敏感電子元件130a的製程整合。也就是說，輔助撓曲結構層150a可以與撓曲結構層140a及環境敏感電子元件130a可以在同一腔體中完成製作，無需大幅度的修改現有製程，且可以有效地控制原料的取得，並且降低購買設備之成本。
    圖4為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖4，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100d與圖2之環境敏感電子元件之封裝體100b相似，惟二者主要差異之處在於：環境敏感電子元件之封裝體100b更包括至少一輔助撓曲結構層150b，其中輔助撓曲結構層150b配置於撓曲結構層140b上且位於第二基板120與撓曲結構層140b之間。輔助撓曲結構層150b直接覆蓋於撓曲結構層140b上。詳細來說，輔助撓曲結構層150b包括一輔助柔軟層152b、一輔助阻陷層154b以及一輔助保護層156b，其中輔助柔軟層152b覆蓋阻陷層144b上，且輔助保護層156b位於輔助阻陷層154b與輔助柔軟層152b之間。
    由於在環境敏感電子元件130a上設置多層堆疊之撓曲結構層140b及輔助撓曲結構層150b，因此當環境敏感電子元件之封裝體100d被撓曲時，薄膜剝離的現象很容易會發生在撓曲結構層140b之柔軟層142b與環境敏感電子元件130a之陰極層139之間的介面或柔軟層142b與保護層146b之間的介面，或者是，輔助撓曲結構層150b之輔助柔軟層152b與撓曲結構層140b之阻陷層144之間的介面或輔助柔軟層152b與輔助保護層156b之間的介面。如此一來，可有效地改善習知環境敏感電子元件130a被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而提昇環境敏感電子元件之封裝體100d產品良率。
    此外，較佳地，輔助柔軟層152b的材質例如與柔軟層142b的材質相同，而輔助阻陷層154b的材質例如與阻陷層144b的材質相同，且輔助保護層156b的材質與保護層146b的材質相同。在此情況下，輔助撓曲結構層150b可以與撓曲結構層140b及環境敏感電子元件130a的製程整合。也就是說，輔助撓曲結構層150b可以與撓曲結構層140b及環境敏感電子元件130a可以在同一腔體中完成製作，無需大幅度的修改現有製程，且可以有效地控制原料的取得，並且降低購買設備之成本。
    值得一提的是，於本實施例中並不限定輔助撓曲結構層150a、150b的個數，雖然此處分別配置於撓曲結構層140a、140b上之輔助撓曲結構層150a、150b的個數具體化為一個。但於其他未繪示的實施例中，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，自行增加輔助撓曲結構層150a、150b的個數，以達到所需的技術效果。
    圖5為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。請參考圖5，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體100e與圖1之環境敏感電子元件之封裝體100a相似，惟二者主要差異之處在於：撓曲結構層140c之阻陷層144c的材料特性。詳細來說，在本實施例中，撓曲結構層140c之阻陷層144c的材質與位於有機官能層134b之電子注入層138上的陰極層139b的材質實質上相同，其中阻陷層144c位於柔軟層142c與保護層146c之間。更具體來說，阻陷層144c的材質具有導電性與阻氧性，其中阻陷層144c的材質可選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、銦(In)、鈣(Ca)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、金(Au)及其組合所組成之族群。
    由於本實施例之撓曲結構層140c配置於環境敏感電子元件130b上，且撓曲結構層140c的柔軟層142c直接覆蓋於環境敏感電子元件130b的陰極層139b上。因此，當環境敏感電子元件之封裝體100e被撓曲時，環境敏感電子元件130b的各層結構層(包括陽極層132、有機官能層134b及陰極層139b)之間不易發生薄膜剝離的現象，薄膜剝離的現象很容易會發生在柔軟層142c與陰極層139b之間的界面或柔軟層142c與阻陷層144c之間的界面。也就是說，撓曲結構層140c的設計在環境敏感電子元件之封裝體100e被撓曲時可有效地改善環境敏感電子元件130b之各層結構之間發生薄膜剝離的現象。
    再者，由於本實施例之撓曲結構層140c之阻陷層144c的材質與環境敏感電子元件130b之陰極層139b的材質實質上相同，因此撓曲結構層140c可以與環境敏感電子元件130b的製程整合。換言之，撓曲結構層140c可以與環境敏感電子元件130b可以在同一腔體中完成製作，無需大幅度的修改現有製程，且可以有效地控制原料的取得，並且降低購買設備之成本。此外，由於填充層160包覆環境敏感電子元件130b與撓曲結構層140c，且撓曲結構層140c之阻陷層144c的材質也具有導電性與阻氧性，因此可增加環境敏感電子元件之封裝體100e阻隔水氣及氧氣的能力，且可有效延長環境敏感電子元件130b的壽命。
    此外，於其他未繪示的實施例中，亦可選用於如前述實施例所提及之輔助撓曲結構150a、150b，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述構件，以達到所需的技術效果。另外，於其他實施例中，撓曲結構層140c亦可具有不同之薄膜堆疊方式，意即保護層146c位於柔軟層142c與阻陷層144c之間，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。
    綜上所述，由於本發明在環境敏感電子元件上製作不同型態之撓曲結構層，因此當環境敏感電子元件之封裝體被過度撓曲時，薄膜剝離的現象會發生在撓曲結構層中，故可改善環境敏感電子元件被撓曲而發生薄膜剝離的現象，進而使環境敏感電子元件在被撓曲時發光結構(即有機官能層)不被破壞。
    雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
    100a、100b、100c、100d、100e．．．環境敏感電子元件之封裝體
    110．．．第一基板
    120．．．第二基板
    130a、130b．．．環境敏感電子元件
    132．．．陽極層
    134a、134b．．．有機官能層
    135．．．電洞注入層
    136．．．電洞傳輸層
    137．．．有機發光層
    138、138a．．．電子注入層
    139、139b．．．陰極層
    140a、140b、140c．．．撓曲結構層
    142a、142b、142c．．．柔軟層
    144a、144b、144c．．．阻陷層
    146a、146b、146c．．．保護層
    150a、150b．．．輔助撓曲結構層
    152a、152b．．．輔助柔軟層
    154a、154b．．．輔助阻陷層
    156a、156b．．．輔助保護層
    160．．．填充層
    圖1為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
    圖2為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
    圖3為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
    圖4為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
    圖5為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的剖面示意圖。
    100a．．．環境敏感電子元件之封裝體
    110．．．第一基板
    120．．．第二基板
    130a．．．環境敏感電子元件
    132．．．陽極層
    134a．．．有機官能層
    135．．．電洞注入層
    136．．．電洞傳輸層
    137．．．有機發光層
    138a．．．電子注入層
    139．．．陰極層
    140a．．．撓曲結構層
    142a．．．柔軟層
    144a．．．阻陷層
    146a．．．保護層
    160．．．填充層
    权利要求:
    Claims (23)
    [1] 一種環境敏感電子元件之封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板的上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間，該環境敏感電子元件包括：一陽極層，配置於該第一基板上；一電洞注入層，配置於該陽極層上；一電洞傳輸層，配置於該電洞注入層上；一有機發光層，配置於該電洞傳輸層上；一陰極層，配置於該有機發光層上；以及一電子注入層，配置於該有機發光層與該陰極層之間；一撓曲結構層，配置於該環境敏感電子元件上，且包括：一柔軟層，配置於該陰極層上；一阻陷層，配置於該柔軟層上，其中該阻陷層的材質與該電子注入層的材質相同；以及一保護層，配置於該柔軟層上；以及一填充層，配置於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件與該撓曲結構層。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層的該阻陷層位於該保護層與該柔軟層之間。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之環境敏感電子元件之封裝體，更包括至少一輔助撓曲結構層，配置於該撓曲結構層上且位於該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括一輔助柔軟層、一輔助阻陷層以及一輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該保護層上，且該輔助阻陷層位於該輔助保護層與該輔助柔軟層之間。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層的該保護層位於該阻陷層與該柔軟層之間。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之環境敏感電子元件之封裝體，更包括至少一輔助撓曲結構層，配置於該撓曲結構層上且位於該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括一輔助柔軟層、一輔助阻陷層以及一輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該阻陷層上，且該輔助保護層位於該輔助阻陷層與該輔助柔軟層之間。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該阻陷層的材質具有導電性與阻水性。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該阻陷層的材質包括一鹼金屬/鹼土金屬鹵化物、一鹼金屬/鹼土金屬氧化物、一鹼金屬/鹼土金屬碳酸化合物或一鹼金屬碳酸化合物。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該鹼金屬/鹼土金屬鹵化物包括氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化銫(CsF)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、氯化銣(RbCl)、氯化鎂(MgCl2)或氯化鈣(CaCl2)。
    [9] 如申請專利範圍第7項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該鹼金屬/鹼土金屬氧化物包括氧化鋰(Li2O)、氧化銫(Cs2O)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、偏硼酸鋰(LiBO2)或氧化矽鉀(K2SiO3)。
    [10] 如申請專利範圍第7項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該鹼金屬/鹼土金屬碳酸化合物包括碳酸鋰(Li2CO3)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸銫(Cs2CO3)。
    [11] 如申請專利範圍第7項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該鹼金屬碳酸化合物包括醋酸鋰(CH3COOLi)、醋酸鈉(CH3COONa)、醋酸鉀(CH3COOK)、醋酸銣(CH3COORb)或醋酸銫(CH3COOCs)。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層之該柔軟層的材質包括有機小分子材料、有機寡聚合物、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層之該保護層的材質包括金屬材料或無機材料。
    [14] 一種環境敏感電子元件之封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板的上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間，該環境敏感電子元件包括：一陽極層，配置於該第一基板上；一電洞注入層，配置於該陽極層上；一電洞傳輸層，配置於該電洞注入層上；一有機發光層，配置於該電洞傳輸層上；一陰極層，配置於該有機發光層上；以及一電子注入層，配置於該有機發光層與該陰極層之間；一撓曲結構層，配置於該環境敏感電子元件上，且包括：一柔軟層，配置於該陰極層上；一阻陷層，配置於該柔軟層上，其中該阻陷層的材質與該陰極層的材質相同；以及一保護層，配置於該柔軟層上；以及一填充層，配置於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件與該撓曲結構層。
    [15] 如申請專利範圍第14項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層的該阻陷層位於該保護層與該柔軟層之間。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之環境敏感電子元件之封裝體，更包括至少一輔助撓曲結構層，配置於該撓曲結構層上且位於該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括一輔助柔軟層、一輔助阻陷層以及一輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該保護層上，且該輔助阻陷層位於該輔助保護層與該輔助柔軟層之間。
    [17] 如申請專利範圍第14項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層的該保護層位於該阻陷層與該柔軟層之間。
    [18] 如申請專利範圍第17項所述之環境敏感電子元件之封裝體，更包括至少一輔助撓曲結構層，配置於該撓曲結構層上且位於該第二基板與該撓曲結構層之間，其中該輔助撓曲結構層包括一輔助柔軟層、一輔助阻陷層以及一輔助保護層，該輔助柔軟層覆蓋該阻陷層上，且該輔助保護層位於該輔助阻陷層與該輔助柔軟層之間。
    [19] 如申請專利範圍第14項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該阻陷層的材質具有導電性與阻氧性。
    [20] 如申請專利範圍第19項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該阻陷層的材質選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、銦(In)、鈣(Ca)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、金(Au)及其組合所組成之族群。
    [21] 如申請專利範圍第14項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層之該柔軟層的材質包括有機小分子材料、有機寡聚合物、寡聚合物與無機材料的混合物或有機小分子與無機材料的混合物。
    [22] 如申請專利範圍第14項所述之環境敏感電子元件之封裝體，其中該撓曲結構層之該保護層的材質包括金屬材料或無機材料。
    [23] 一種環境敏感電子元件之封裝體，包括：一第一基板；一第二基板，配置於該第一基板的上方；一環境敏感電子元件，配置於該第一基板上，且位於該第一基板與該第二基板之間，該環境敏感電子元件包括：一陽極層，配置於該第一基板上；一有機官能層，配置於該陽極層上；以及一陰極層，配置於該有機官能層上；一撓曲結構層，配置於該環境敏感電子元件上，且包括：一柔軟層，配置於該陰極層上；一阻陷層，配置於該柔軟層上，其中該阻陷層的材質與該有機官能層的材質或該陰極層的材質相同；以及一保護層，配置於該柔軟層上；以及一填充層，配置於該第一基板與該第二基板之間，且包覆該環境敏感電子元件與該撓曲結構層。
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